CAS-Nr. 1303-11-3 | INDIUM ARSEN IDE
Bezeichnung: INDIUM ARSENID CAS-Nr. 1303-11-3 MF:AsIn MW: 189,74 Reinheit: 97% Paket: 10g,25g,50g,100g,250g Weltweite Lieferung
Kategorien:
Photo elektrische Materialien
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Einführung und Anwendung von CAS-Nr.1303-11-3| INDIUM ARSEN IDE
Synonyme: Arsin trilin (1III);
Indiganylidy nearsane;
INDIU MARSEN IDE;
Indium arsenid, 99,9999% Spuren basis;
Indiumarsenide,Hardlyattackedbymineralacids;
Indium arsenid (inas);
Spezifikation:
| ARTIKEL |
SPEZIFIKATION |
| CAS |
1303-11-3 |
| MF |
AsIn |
| MW |
189.74 |
| Schmelzpunkt |
936 °C |
| REfractive-Index |
3.51 |
| Dichte |
5,69g/cm3 |
| Kristalls truktur |
Kubische Sphalerit struktur-Raum gruppe F(-4)3m |
| COlor |
Grau |
| Löslichkeit |
Unlöslich in Säure lösung |
| FOrm |
1,5 bis 9,5mm poly kristalliner Silizium wafer |
Anwendung:
Indium arsenid ist ein Halbleiter material, das schwer zu reinigen ist. Indiumarsenid-Indium-Aluminium-Arsen-laminierte Punkte wurden verwendet, um Indiumarsenid-Nanoringe und eine Thermophototovoltaik-Zelle in Indium arsenid mit einer Barriere schicht struktur herzustellen.
Nutzung: Verwendet als Elektronik, optische Materialien, Katalysatoren
Produktions methode:
Indium arsenid wird auf die gleiche Weise wie Gallium arsenid synth etisiert, auch unter Verwendung eines Doppelrohr-Elektro ofens. Geben Sie zuerst eine Quarz scheibe, die Indium enthält, mit einem geschlossenen Ende in die Quarz ampulle, fügen Sie dann Arsen hinzu und versiegeln Sie sie bei 5 × 10-6Torr (1Torr = 133,322 Pa). Der Indium teil dieser Ampulle wird auf 955 ° C und der Arsen teil auf 560 ° C erhitzt. Zu diesem Zeitpunkt beträgt der Dampfdruck von Arsen ungefähr 33kPa. Im Dampf zustand reagiert Arsen mit auf 955 ° C erhitztem Indium unter Bildung von InAs. Nehmen Sie die Ampulle nach 5 bis 6 Stunden aus dem Ofen A. Ein InAs-Einkristall wird vom vorderen Ende der Scheibe erzeugt.
Paket und Transport:
Paket: 10G, 25g,50g,100g,250G
Transport: per Kurier/auf dem Luftweg/auf dem Seeweg
Schlüssel wörter:
CAS-Nr. 1303-11-3
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